Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Infineon |
Numéro de modèle: | FF1500R12IE5 |
Quantité de commande min: | 1 jeu |
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Détails d'emballage: | Emballage de boîte en bois |
Délai de livraison: | 25 jours après la signature du contrat |
Conditions de paiement: | T/T. |
Capacité d'approvisionnement: | 1000sets |
VCES: | 1200V | Nom d'IC: | 1500A |
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ICRM: | 3000A | Applications: | Commandes de moteur |
Surligner: | module d'igbt de puissance élevée,module d'igbt d'eupec |
PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12
Applications potentielles
• Systèmes d'UPS
• Convertisseurs de puissance élevée
• Applications solaires
• Commandes de moteur
Caractéristiques électriques
• Tvj op = 175°C
• Température de fonctionnement prolongée Tvj op
• Robustesse imbattable
• Fossé IGBT 5
• Capacité élevée de court-circuit
Caractéristiques mécaniques
• Paquet avec CTI>400
• Densité de puissance élevée
• Capacité de puissance élevée et de mise en chauffage
• Distances élevées d'ascension et de dégagement
Inverseur d'IGBT
Valeurs évaluées maximum
Tension de collecteur-émetteur | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
Courant de collecteur continu de C.C | Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C | Nom d'IC | 1500 | A |
Courant de collecteur maximal répétitif | tP = 1 Mme | ICRM | 3000 | A |
tension de crête de Porte-émetteur | VGES | +/--20 | V |
Type de mn de valeurs caractéristiques. maximum.
Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
VCE reposé | 1,70 2,00 2,15 |
2,15 2,45 2,60 |
VVV | |
Tension de seuil de porte | IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,25 | 5,80 | 6,35 | V |
Charge de porte | VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V | QG | 7,15 | µC | ||
Résistance interne de porte | Tvj = 25°C | RGint | 0,6 | Ω | ||
Capacité d'entrée | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 82,0 | N-F | ||
Capacité inverse de transfert | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 3,25 | N-F | ||
Courant de coupure de collecteur-émetteur | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | GLACE | 5,0 | mA | ||
courant de fuite de Porte-émetteur | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | Na | ||
Temps de retard d'ouverture, charge inductive | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
le TD dessus | 0,26 0,28 0,28 |
µs µs µs |
||
Temps de montée, charge inductive | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
TR | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
||
Temps de retard d'arrêt, charge inductive | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
le TD | 0,51 0,56 0,59 |
µs µs µs |
||
Temps de chute, charge inductive | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
tf | 0,09 0,11 0,13 |
µs µs µs |
||
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion | IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C) RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
Éon | 120 180 215 |
MJ MJ MJ |
||
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion | IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C) RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
Eoff | 155 195 220 |
MJ MJ MJ |
||
Données de Sc | ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C |
ISC | 5600 | A | ||
Résistance thermique, jonction au cas | Chaque IGBT/par IGBT | RthJC | 19,5 | K/kW | ||
Résistance thermique, cas au radiateur | chaque IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease =1 avec (m·K) |
RthCH | 12,5 | K/kW | ||
La température dans des conditions de commutation | Tvj op | -40 | 175 | °C |
Personne à contacter: Ms. Biona
Téléphone: 86-755-82861683
Télécopieur: 86-755-83989939
APF7.820.077C PCB pour rechange de contrôleur de tension ESP, tension et processus actuels de signal
Charbon de rechange Chargeur carte principale, carte CPU 9224 / CS2024 / EG24 (jury de Micro)